首页 > 产业讯息 > 其他 > 日本Engis氮化铝基板抛光技术
日本Engis超精密专业抛光相关设备及技术,针对氮化铝等特殊脆硬材料可符合业界最高规格之超精密镜面抛光要求。氮化铝基板之特殊脆硬材料已使用於半导体设备制程之零组件以及LED散热用的氮化铝基板,目前日本国内的大多数氮化铝基板抛光加工厂商皆采用日本Engis超精密抛光设备及研磨耗材,而氮化铝基板之粗糙度要求已经在3nm以下,日本Engis以超高抛光技术制程并搭配优异研磨材料,简易并快速地达到粗度3nm以下,并可以依照客户要求研发合适的制程,以解决客户在氮化铝基板抛光上之盲点。

材质:2inch AlN wafer
加工条件 |
中 抛 |
细 抛 |
设 备 |
EJW-400IFN |
EJW-400IFN |
盘 面 |
Hyprez树脂铜盘 |
AT盘 |
耗 材 |
钻石液3um |
C.A.P. |
面 粗 度 |
Ra <10nm |
Ra <3nm |

