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儒汉甡股份有限公司 桃园市杨梅区金溪路115号
钛金属因密度小重量轻并且强度高，这在非铁金属中是属於少有的特殊性能材料，而且有极佳的耐腐蚀、耐热性以及耐低温之无磁性金属，但是纯钛的机械强度并不佳，一般都是以钛合金的产品居多，而钛合金之氧及碳含有量多寡亦会影响钛合金的强度。虽然钛金属在机械研磨抛光可达到和不銹钢相同的镜面条件，但依实际镜面加工经验来说，钛金属比不銹钢加工困难，因为由於钛金属的独特的性能，其粘性韧性较大，导电率低，导热系数较小、因有吸气性能较易氧化，表面上的刮伤不易移除等问题，所以在施以表面处理时，经常会带来了极大的困难。日本Engis根据长期的抛光技术，依钛金属特殊材料之性能，搭配日本Engis抛光技术、优异的设备及磨料进行平面镜面抛光，并且避免长时间加工而造成因热变形及化学反应等，目前实际镜面抛光后之粗糙度在10nm以下，例如使用於晶圆封装等零组件。                     https://www.ruhanson.com/hot_116926.html 日本Engis钛金属镜面抛光 2024-03-19 2025-03-19
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                     https://www.ruhanson.com/hot_97622.html 日本Engis单晶碳化矽基板研磨抛光制程 2024-03-19 2025-03-19
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    日本Engis大型导光板模仁精密平面抛光机是适用於液晶面板背光模组的导光板射出模仁抛光制程，因为配置抛光树脂铜定盘之精密修整器，可提升工件精度及缩短抛光时间，并配合日本Engis专业精密抛光技术支援，可以维持良好工件品质，而且泛用型平面抛光机可依工件规格配置适合专用治具及搭配日本Engis之优异抛光材料，成为专业超大型精密镜面抛光设备。    目前大多数国内外导光板厂商皆采用日本Engis专业精密抛光技术，可快速地进行量产并提高良率而使得日本Engis成为模仁抛光业界之领导品牌。               材质：SUS420J2      加工条件            中   抛            细   抛    设 备   EJW-400IFN  EJ-380IN        盘 面   Hyprez树脂铜盘  Pad545N        耗 材    钻石液2um  HCL-XL     面 粗 度   Ra <0.2um  Ra <5nm          https://www.ruhanson.com/hot_97626.html 日本Engis导光板模仁抛光机 2024-03-19 2025-03-19
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   日本Engis超精密专业抛光相关设备及技术，针对氮化铝等特殊脆硬材料可符合业界最高规格之超精密镜面抛光要求。氮化铝基板之特殊脆硬材料已使用於半导体设备制程之零组件以及LED散热用的氮化铝基板，目前日本国内的大多数氮化铝基板抛光加工厂商皆采用日本Engis超精密抛光设备及研磨耗材，而氮化铝基板之粗糙度要求已经在3nm以下，日本Engis以超高抛光技术制程并搭配优异研磨材料，简易并快速地达到粗度3nm以下，并可以依照客户要求研发合适的制程，以解决客户在氮化铝基板抛光上之盲点。 材质：2inch AlN wafer    加工条件         中   抛           细   抛   设 备 EJW-400IFN EJW-400IFN       盘 面  Hyprez树脂铜盘   AT盘       耗 材 钻石液3um  C.A.P.     面 粗 度 Ra <10nm Ra <3nm                                               https://www.ruhanson.com/hot_97625.html 日本Engis氮化铝基板抛光技术 2024-03-19 2025-03-19
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   目前日本之光电材料以及特殊硬脆材料等基板之制造厂大多采用日本Engis公司超精密抛光专业设备技术及优异磨料，例如单晶碳化矽(SiC)、蓝宝石(Sapphire)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等基板，因为日本Engis可以针对光电、通讯业界特殊需求，使用自行生产之磨料及设备研究开发出实用之制程。 研磨抛光制程上相对困难的单晶碳化矽基板，在高阶蓝光LED表现上比蓝宝石基板更加优胜，因为单晶碳化矽基板的热传导率约4.9W/cm.k，而蓝宝石基板(单晶氧化铝)目前只有0.46W/cm.k，以及没有导电性,但是单晶碳化矽基板有导电性,并且晶格常数之整合度比蓝宝石基板较高，因此,在模组设计上可以双面利用。     虽然单晶碳化矽基板价格比蓝宝石基板昂贵，可是在日本的单晶碳化矽基板相关的各大厂商正如火如荼地研究开发，目前单晶碳化矽基板量产大多是2寸，并且4 寸之单晶碳化矽基板业已开发完成并正在量产中，现阶段日本共有两种单晶碳化矽基板，绝大多数厂商是采用日本Engis公司之抛光设备及专业技术，目前2~3寸基板之抛光精度: Ra＜0.5nm. TTV＜10μm. Bow\Warp＜10μm    目前在日本之蓝宝石基板厂商采用3寸，而6寸蓝宝石基板也已经量产，日本Engis公司亦提供给日本蓝宝石基板厂商精密抛光设备、树脂铜盘以及钻石液等耗材，所以日本Engis可称谓超精密平面抛光业界之领导品牌。现在日本国内之LED散热用的氮化铝基板要求面粗度需要达到3nm以下，因此日本Engis以独自加工制程业已达到约1nm左右，并依客户实际需求加以研发新的抛光制程，解决客户在抛光技术及制程上之盲点。     加工条件          贴   合         精   磨           抛   光  设 备 EBM-250SA EHG-250NC EJW-460IFN-DMP        工 具 陶瓷贴付盘 砂轮 #270  Hyprez树脂铜盘        耗 材 WAX 切削油 钻石液6um    加 工 时 间 20分钟 20分钟 20分钟    基 板 厚 度  --- 110um 85um      面 粗 度  --- Ra <0.5um Ra <10nm     https://www.ruhanson.com/hot_97623.html 日本Engis超精密镜面抛光之先驱 2024-03-19 2025-03-19
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