首页 ＞ 产业讯息 > 其他 > 日本Engis超精密镜面抛光之先驱
目前日本之光电材料以及特殊硬脆材料等基板之制造厂大多采用日本Engis公司超精密抛光专业设备技术及优异磨料，例如单晶碳化矽(SiC)、蓝宝石(Sapphire)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等基板，因为日本Engis可以针对光电、通讯业界特殊需求，使用自行生产之磨料及设备研究开发出实用之制程。 研磨抛光制程上相对困难的单晶碳化矽基板，在高阶蓝光LED表现上比蓝宝石基板更加优胜，因为单晶碳化矽基板的热传导率约4.9W/cm.k，而蓝宝石基板(单晶氧化铝)目前只有0.46W/cm.k，以及没有导电性,但是单晶碳化矽基板有导电性,并且晶格常数之整合度比蓝宝石基板较高，因此,在模组设计上可以双面利用。
虽然单晶碳化矽基板价格比蓝宝石基板昂贵，可是在日本的单晶碳化矽基板相关的各大厂商正如火如荼地研究开发，目前单晶碳化矽基板量产大多是2寸，并且4 寸之单晶碳化矽基板业已开发完成并正在量产中，现阶段日本共有两种单晶碳化矽基板，绝大多数厂商是采用日本Engis公司之抛光设备及专业技术，目前2~3寸基板之抛光精度: Ra＜0.5nm. TTV＜10μm. Bow\Warp＜10μm
目前在日本之蓝宝石基板厂商采用3寸，而6寸蓝宝石基板也已经量产，日本Engis公司亦提供给日本蓝宝石基板厂商精密抛光设备、树脂铜盘以及钻石液等耗材，所以日本Engis可称谓超精密平面抛光业界之领导品牌。现在日本国内之LED散热用的氮化铝基板要求面粗度需要达到3nm以下，因此日本Engis以独自加工制程业已达到约1nm左右，并依客户实际需求加以研发新的抛光制程，解决客户在抛光技术及制程上之盲点。
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加工条件 |
贴 合 |
精 磨 |
抛 光 |
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设 备 |
EBM-250SA |
EHG-250NC |
EJW-460IFN-DMP |
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工 具 |
陶瓷贴付盘 |
砂轮 #270 |
Hyprez树脂铜盘 |
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耗 材 |
WAX |
切削油 |
钻石液6um |
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加 工 时 间 |
20分钟 |
20分钟 |
20分钟 |
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基 板 厚 度 |
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110um |
85um |
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面 粗 度 |
--- |
Ra <0.5um |
Ra <10nm |