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儒漢甡股份有限公司 桃園市楊梅區金溪路115號
鈦金屬因密度小重量輕並且強度高，這在非鐵金屬中是屬於少有的特殊性能材料，而且有極佳的耐腐蝕、耐熱性以及耐低溫之無磁性金屬，但是純鈦的機械強度並不佳，一般都是以鈦合金的產品居多，而鈦合金之氧及碳含有量多寡亦會影響鈦合金的強度。雖然鈦金屬在機械研磨拋光可達到和不銹鋼相同的鏡面條件，但依實際鏡面加工經驗來說，鈦金屬比不銹鋼加工困難，因為由於鈦金屬的獨特的性能，其粘性韌性較大，導電率低，導熱係數較小、因有吸氣性能較易氧化，表面上的刮傷不易移除等問題，所以在施以表面處理時，經常會帶來了極大的困難。日本Engis根據長期的拋光技術，依鈦金屬特殊材料之性能，搭配日本Engis拋光技術、優異的設備及磨料進行平面鏡面拋光，並且避免長時間加工而造成因熱變形及化學反應等，目前實際鏡面拋光後之粗糙度在10nm以下，例如使用於晶圓封裝等零組件。                     https://www.ruhanson.com/hot_116926.html 日本Engis鈦金屬鏡面拋光 2024-03-19 2025-03-19
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                     https://www.ruhanson.com/hot_97622.html 日本Engis單晶碳化矽基板研磨拋光製程 2024-03-19 2025-03-19
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    日本Engis大型導光板模仁精密平面拋光機是適用於液晶面板背光模組的導光板射出模仁拋光製程，因為配置拋光樹脂銅定盤之精密修整器，可提升工件精度及縮短拋光時間，並配合日本Engis專業精密拋光技術支援，可以維持良好工件品質，而且泛用型平面拋光機可依工件規格配置適合專用治具及搭配日本Engis之優異拋光材料，成為專業超大型精密鏡面拋光設備。    目前大多數國內外導光板廠商皆採用日本Engis專業精密拋光技術，可快速地進行量產並提高良率而使得日本Engis成為模仁拋光業界之領導品牌。               材質：SUS420J2      加工條件            中   拋            細   拋    設 備   EJW-400IFN  EJ-380IN        盤 面   Hyprez樹脂銅盤  Pad545N        耗 材    鑽石液2um  HCL-XL     面 粗 度   Ra <0.2um  Ra <5nm          https://www.ruhanson.com/hot_97626.html 日本Engis導光板模仁拋光機 2024-03-19 2025-03-19
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   日本Engis超精密專業拋光相關設備及技術，針對氮化鋁等特殊脆硬材料可符合業界最高規格之超精密鏡面拋光要求。氮化鋁基板之特殊脆硬材料已使用於半導體設備製程之零組件以及LED散熱用的氮化鋁基板，目前日本國內的大多數氮化鋁基板拋光加工廠商皆採用日本Engis超精密拋光設備及研磨耗材，而氮化鋁基板之粗糙度要求已經在3nm以下，日本Engis以超高拋光技術製程並搭配優異研磨材料，簡易並快速地達到粗度3nm以下，並可以依照客戶要求研發合適的製程，以解決客戶在氮化鋁基板拋光上之盲點。 材質：2inch AlN wafer    加工條件         中   拋           細   拋   設 備 EJW-400IFN EJW-400IFN       盤 面  Hyprez樹脂銅盤   AT盤       耗 材 鑽石液3um  C.A.P.     面 粗 度 Ra <10nm Ra <3nm                                               https://www.ruhanson.com/hot_97625.html 日本Engis氮化鋁基板拋光技術 2024-03-19 2025-03-19
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   目前日本之光電材料以及特殊硬脆材料等基板之製造廠大多採用日本Engis公司超精密拋光專業設備技術及優異磨料，例如單晶碳化矽(SiC)、藍寶石(Sapphire)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)等基板，因為日本Engis可以針對光電、通訊業界特殊需求，使用自行生產之磨料及設備研究開發出實用之製程。 研磨拋光製程上相對困難的單晶碳化矽基板，在高階藍光LED表現上比藍寶石基板更加優勝，因為單晶碳化矽基板的熱傳導率約4.9W/cm.k，而藍寶石基板(單晶氧化鋁)目前只有0.46W/cm.k，以及沒有導電性,但是單晶碳化矽基板有導電性,並且晶格常數之整合度比藍寶石基板較高，因此,在模組設計上可以雙面利用。     雖然單晶碳化矽基板價格比藍寶石基板昂貴，可是在日本的單晶碳化矽基板相關的各大廠商正如火如荼地研究開發，目前單晶碳化矽基板量產大多是2吋，並且4 吋之單晶碳化矽基板業已開發完成並正在量產中，現階段日本共有兩種單晶碳化矽基板，絕大多數廠商是採用日本Engis公司之拋光設備及專業技術，目前2~3吋基板之拋光精度: Ra＜0.5nm. TTV＜10μm. Bow\Warp＜10μm    目前在日本之藍寶石基板廠商採用3吋，而6吋藍寶石基板也已經量產，日本Engis公司亦提供給日本藍寶石基板廠商精密拋光設備、樹脂銅盤以及鑽石液等耗材，所以日本Engis可稱謂超精密平面拋光業界之領導品牌。現在日本國內之LED散熱用的氮化鋁基板要求面粗度需要達到3nm以下，因此日本Engis以獨自加工製程業已達到約1nm左右，並依客戶實際需求加以研發新的拋光製程，解決客戶在拋光技術及製程上之盲點。     加工條件          貼   合         精   磨           拋   光  設 備 EBM-250SA EHG-250NC EJW-460IFN-DMP        工 具 陶瓷貼付盤 砂輪 #270  Hyprez樹脂銅盤        耗 材 WAX 切削油 鑽石液6um    加 工 時 間 20分鐘 20分鐘 20分鐘    基 板 厚 度  --- 110um 85um      面 粗 度  --- Ra <0.5um Ra <10nm     https://www.ruhanson.com/hot_97623.html 日本Engis超精密鏡面拋光之先驅 2024-03-19 2025-03-19
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