日本Engis超精密鏡面拋光之先驅

目前日本之光電材料以及特殊硬脆材料等基板之製造廠大多採用日本Engis公司超精密拋光專業設備技術及優異磨料，例如單晶碳化矽(SiC)、藍寶石(Sapphire)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰(LiTaO3)、鈮酸鋰(LiNbO3)等基板，因為日本Engis可以針對光電、通訊業界特殊需求，使用自行生產之磨料及設備研究開發出實用之製程。研磨拋光製程上相對困難的單晶碳化矽基板，在高階藍光LED表現上比藍寶石基板更加優勝，因為單晶碳化矽基板的熱傳導率約4.9W/cm.k，而藍寶石基板(單晶氧化鋁)目前只有0.46W/cm.k，以及沒有導電性,但是單晶碳化矽基板有導電性,並且晶格常數之整合度比藍寶石基板較高，因此,在模組設計上可以雙面利用。

雖然單晶碳化矽基板價格比藍寶石基板昂貴，可是在日本的單晶碳化矽基板相關的各大廠商正如火如荼地研究開發，目前單晶碳化矽基板量產大多是2吋，並且4 吋之單晶碳化矽基板業已開發完成並正在量產中，現階段日本共有兩種單晶碳化矽基板，絕大多數廠商是採用日本Engis公司之拋光設備及專業技術，目前2~3吋基板之拋光精度: Ra＜0.5nm. TTV＜10μm. Bow\Warp＜10μm

目前在日本之藍寶石基板廠商採用3吋，而6吋藍寶石基板也已經量產，日本Engis公司亦提供給日本藍寶石基板廠商精密拋光設備、樹脂銅盤以及鑽石液等耗材，所以日本Engis可稱謂超精密平面拋光業界之領導品牌。現在日本國內之LED散熱用的氮化鋁基板要求面粗度需要達到3nm以下，因此日本Engis以獨自加工製程業已達到約1nm左右，並依客戶實際需求加以研發新的拋光製程，解決客戶在拋光技術及製程上之盲點。

加工條件	貼合	精磨	拋光
設備	EBM-250SA	EHG-250NC	EJW-460IFN-DMP
工具	陶瓷貼付盤	砂輪 #270	Hyprez樹脂銅盤
耗材	WAX	切削油	鑽石液6um
加工時間	20分鐘	20分鐘	20分鐘
基板厚度	---	110um	85um
面粗度	---	Ra <0.5um	Ra <10nm

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