首頁 ﹥ 產業訊息 > 其他 > 日本Engis氮化鋁基板拋光技術
日本Engis超精密專業拋光相關設備及技術，針對氮化鋁等特殊脆硬材料可符合業界最高規格之超精密鏡面拋光要求。氮化鋁基板之特殊脆硬材料已使用於半導體設備製程之零組件以及LED散熱用的氮化鋁基板，目前日本國內的大多數氮化鋁基板拋光加工廠商皆採用日本Engis超精密拋光設備及研磨耗材，而氮化鋁基板之粗糙度要求已經在3nm以下，日本Engis以超高拋光技術製程並搭配優異研磨材料，簡易並快速地達到粗度3nm以下，並可以依照客戶要求研發合適的製程，以解決客戶在氮化鋁基板拋光上之盲點。
材質：2inch AlN wafer
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加工條件 |
中 拋 |
細 拋 |
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設 備 |
EJW-400IFN |
EJW-400IFN |
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盤 面 |
Hyprez樹脂銅盤 |
AT盤 |
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耗 材 |
鑽石液3um |
C.A.P. |
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面 粗 度 |
Ra <10nm |
Ra <3nm |
